[专利公布}一种用于CuCGA器件的植柱方法
申请号 201710212107 .6
申请日 2017 .03 .31
同一申请的已布的文献号申请公布号 CN 106971951 A
申请公布日 2017 .07 .21
专利权人 哈尔滨理工大学
专利代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事所 23109
摘要
一种用于uCGA器件的植柱方法。本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种CGA器件的植柱方法。为解决CuCGA器件阵列铜柱植柱难度大、植柱质量受现有植柱装置影响而表现出的焊接传热问题、焊点气孔问题。本发明首先在阵列排布的焊盘上印刷焊锡膏，并通过回流焊实现焊盘上的植球；将铜柱代替钻头装夹于微型高精度钻床的夹头中，并使铜柱位于待植柱焊盘上方并与焊盘中心对中后，利用钻床带动铜柱旋转并下压钻入焊球内预定深度后，停止铜柱的运动， 至焊球冷却后夹头打开并提起，铜柱留在焊盘上焊球中，完成单个铜柱的植柱；然后重复植柱步骤以实现每个阵列排布的焊盘上的铜柱的植柱过程，并保证植柱后阵列铜柱露出端共面。本发明用于CuCGA器件的植柱。
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